摘要： 石墨烯以其優異的化學穩定性和不透過性被認為是最具潛力且已知最薄的防腐材料。化學氣相沉積法(CVD)常用來制備大面積和高品質的石墨烯薄膜,但研究人員發現CVD法生長石墨烯的過程中不可避免地會引入不同類型和不同尺寸的本征缺陷,如空位、針孔、裂紋和石墨烯島晶界等。

摘要： 介紹了采用不同原材料由一步法工藝所制備的石英玻璃的方法及其光學性能與雜質含量,基于羥基含量高、尺寸小等缺點,通過優化工藝,以兩步法(沉積、脫羥燒結)制備的石英玻璃更具有優良的性能.檢測結果表明,兩步法氣相沉積工藝制備的石英玻璃具有更低的羥基含量≤1×10-6,以及良好的透過率85％以上,完全滿足高端光電技術領域的應用需求.

摘要： 人造金剛石主要產品包括工業金剛石和培育鉆石,兩類產品均由同樣的壓機生產,只是工藝配方有所不同,在工業金剛石領域,不同的技術路徑對應的主要應用場景也有所不同,其中高溫高壓法生產的金剛石單晶及微粉多用于制作鋸切、鉆進、磨削等工具性產品,CVD法生產的金剛石單晶多用于制作芯片、傳感器等功能性產品。我國為全球最大人造金剛石生產國,掌握高溫高壓工業級金剛石定價權。

摘要： 化學氣相沉積法(chemical vapor deposition，CVD)是近幾十年發展起來的制備無機材料的新技術，具有制備溫度低、所得材料均勻致密、可實現近尺寸成型等優點，是制備功能材料的常用方法之一。本文綜述了幾種常見的CVD方法，如常壓化學氣相沉積(atmospheric pressure chemical vapor deposition，APCVD)、低壓化學氣相沉積（low pressure chemical vapor deposition，LPCVD）、等離子體增強化學氣相沉積（plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD）以及激光輔助化學氣相沉積（laser assisted chemical vapor deposition，LACVD）；重點闡述了采用LPCVD在較低溫度下制備SiCN陶瓷吸波劑的工藝參數，提出了LPCVD是制備新型吸波陶瓷的主要方法。%Chemical vapor deposition (CVD) is a new technology for preparing inorganic materials which possess some advantages, such as lower preparation temperature, uniform and compact microstructure, and near-size molding, so it is one of the common methods to prepare functional ceramics. In the paper, several common chemical vapor deposition methods like atmospheric chemical vapor deposition, low-pressure chemical vapor deposition, plasma-enhanced chemical vapor deposition and laser-assisted chemical vapor deposition are reviewed, because the microstructure and performance of functional ceramics are greatly influenced by their fabrication methods. In addition, the deposition parameters of Si-C-N absorbing ceramics which are deposited at lower temperature by low-pressure chemical vapor deposition are optimized. It is proposed that low-pressure chemical vapor deposition is the main method for preparing the advanced EMW absorbing ceramics.

摘要： 文詳細介紹了商品SiC纖維的生產工藝,包括氣相沉積(CVD)法以及聚合物先驅體法,并對這兩種工藝特色進行了總結,同時也詳細介紹了NASA對SiC纖維的改性工藝,對幾種交聯固化工藝作了簡要介紹.最后概述了國內外SiC纖維發展現狀以及前景展望.

摘要： Compared with GaN film,one-dimensional GaN nanomaterial has many advantages in manufacturing optoelectronic devices.This paper synthetically narrated the main preparation methods of one-dimensional GaN nanomaterial and its application of optoelectronics devices.Firstly,the preparation methods including MOCVD, MBE,CVD and template method were introduced.The key analysis is about the growth parameters,morpholo-gy and structure control of one-dimensional GaN nanomaterial.Secondly,the optoelectronic devices such as LED,laser,solar cell as well as photodetector were interpreted,and mainly discussed the influence of the mate-rial properties,device structures and manufacturing technology on the device performance.In the end,the de-velopment and future application of one-dimensional GaN nanomaterials are prospected.%一維GaN納米材料相對于薄膜材料在光電器件應用方面具有諸多優勢，本文主要論述一維 GaN 納米材料的主要制備方法及其光電器件應用的研究進展。首先分別介紹采用 MOCVD、MBE、CVD 及模板法制備一維GaN納米材料，重點論述GaN納米材料的結構與形貌調控。其次介紹一維 GaN 納米材料分別應用于主要光電器件包括LED、太陽能電池、激光器及光探測器的研究動態，討論納米材料性能、結構以及制備技術對其器件性能的影響。最后對一維GaN納米材料的發展與應用前景進行展望。

摘要： 采用CVD法合成GaSb納米線,并分析生長時間對其長度的影響,隨后對其進行光學表征.實驗過程中,分別采用噴金法和滴金法對硅片進行預處理,再置于相同條件下制備GaSb納米線;之后對其進行表征分析,根據掃描電子顯微鏡(SEM)表征結果證實,兩種方法制備的納米線都滿足VLS生長機制.且發現GaSb納米線的生長長度,可以通過改變其生長時間來進行控制.通過該納米線的透射電子顯微鏡圖(TEM)、X射線衍射圖(XRD)等結構表征,表明該納米線為結晶品質優良的立方閃鋅礦結構;同時,從GaSb納米線的拉曼光譜(Raman)及光致發光譜(PL)可以反映該納米線具有優良的光學性質.由此證明,采用CVD法制得的納米線光學性質優異,且可以實現可控制備.

摘要： 以微晶纖維素為碳源,以二茂鐵為催化劑前驅體,采用化學氣相沉積法制備碳材料.在確定流量的氮氣氣氛中,考察了催化劑含量和反應時間對產物形貌的影響.采用掃描電鏡(SEM)、X射線衍射儀(XRD)及紅外光譜儀(FT-IR)對產物的微觀形貌和表面官能團進行了表征與分析.結果顯示:當氣體流速為0.15L/min,催化劑含量為5％(質量分數,下同),900°C反應2min時,產物為粒徑在200～500nm表面光滑的微米球;催化劑含量為30％,900°C高溫反應2min時,生成大量彎曲且相互纏繞的直徑約30nm的碳納米管.

摘要： 化學氣相沉積（CVD，ChemicalVaporDeposition）是半導體工業中應用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術。CVD法是傳統制備薄膜的技術，其原理是利用氣態的先驅反應物，通過原子、分子間化學反應，使得氣態前驅體中的某些成分分解，

摘要： 兼具多種出色性能的神奇材料石墨烯，在傳感器、透明觸摸屏、光板、太陽能電池等諸多領域具有廣泛的潛在應用，甚至有可能成為航空、航天、汽車、軍事等領域的高性能復合材料。然而，要實現石墨烯的實際應用，首先需實現石墨烯的大規模、大面積和可控的制備。文章經研究得出，在眾多制備方法當中，CVD法（化學氣相沉積法）是最有可能實現這一目標的方法。%As a wonderful material with various amazing properties, graphene has a great number of promising applications, including sensors, transparent touch screens, light panels and solar cells, and it can even serve as high-performance composites to be applied in many fields including aviation, aerospace, vehicles and military, etc. However, to realize all these real world applications, it ’s of critical importance to achieve large-area controllable graphene production. The article reach the conclusion after research that among many existing graphene preparation methods, chemical vapor deposition (CVD) method is of great potential to achieve this goal.