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金剛石薄膜

金剛石薄膜的相關文獻在1987年到2022年內共計1697篇,主要集中在無線電電子學、電信技術、物理學、金屬學與金屬工藝 等領域,其中期刊論文936篇、會議論文108篇、專利文獻153738篇;相關期刊292種,包括材料導報、真空與低溫、超硬材料工程等; 相關會議80種,包括2010中國材料研討會、第11屆全國固體薄膜會議、全國第六屆核儀器及其應用學術會議等;金剛石薄膜的相關文獻由2522位作者貢獻,包括孫方宏、胡曉君、汪建華等。

金剛石薄膜—發文量

期刊論文>

論文:936 占比:0.60%

會議論文>

論文:108 占比:0.07%

專利文獻>

論文:153738 占比:99.33%

總計:154782篇

金剛石薄膜—發文趨勢圖

金剛石薄膜

-研究學者

  • 孫方宏
  • 胡曉君
  • 汪建華
  • 張志明
  • 夏義本
  • 王林軍
  • 馬志斌
  • 呂反修
  • 滿衛東
  • 沈荷生
  • 期刊論文
  • 會議論文
  • 專利文獻

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排序:

年份

作者

    • 李義壯; 郭懷新; 郁鑫鑫; 孔月嬋; 陳堂勝
    • 摘要: 片內熱積累效應嚴重制約GaN器件向高功率密度應用發展,金剛石鈍化散熱結構的GaN器件熱管控技術已成為目前研究重點,而金剛石柵區高精度刻蝕和控制是實現該熱管理技術應用的關鍵工藝難點。因此,本文采用電感耦合等離子體(ICP)刻蝕技術,以氮化硅作為刻蝕掩膜,對納米金剛石薄膜進行柵區微納尺度刻蝕工藝研究,系統分析了刻蝕氣體、組分占比、射頻功率等工藝參數對刻蝕速率的影響。結果表明,ICP源功率與氧氣流量對刻蝕速率有增強作用,Ar與CF_(4)的加入對刻蝕過程具有調控作用。最終提出了基于等離子體刻蝕技術的高精度微納尺度金剛石鈍化薄膜刻蝕方法,對金剛石集成GaN器件熱管理和金剛石高精度刻蝕技術具有重要的指導意義。
    • 張帥; 安康; 邵思武; 黃亞博; 楊志亮; 陳良賢; 魏俊俊; 劉金龍; 鄭宇亭; 李成明
    • 摘要: 微波等離子體化學氣相沉積(MPCVD)法制備的高質量金剛石在很多領域均有廣泛應用前景。本研究采用9 kW微波功率,分別在13 kPa、14 kPa、15.5 kPa、17 kPa的腔室壓力下進行薄膜沉積實驗,發現在15.5 kPa、17 kPa的腔室壓力下沉積的薄膜在中心區域出現異常生長情況,具體表現為中心存在明顯的階梯式凸起。為揭示薄膜中心出現異常沉積的原因,使用SEM和Raman分析薄膜表面形貌和質量,通過數值模擬進行沉積過程建模計算和分析功率密度和流場分布。結果表明在相同功率下,提高腔室壓力,壓縮等離子體,因平均自由程較短,擴散能力不足,將導致襯底中心區域比邊緣區域更易密集生長,金剛石薄膜中心區域出現明顯的階梯。同時,薄膜整體的生長速率、均勻性、質量均會在超過壓力極值后降低。
    • 許明霞; 張學宇; 柴旭; 蓋志剛
    • 摘要: 針對目前電極式電導率傳感器存在的電極材料易脫落、結構不穩定、抗生物附著能力差等問題,本文設計出一種基于硼摻雜金剛石薄膜電極的電導率傳感器。本文從七電極電導率的測量原理出發,結合金剛石薄膜電極的特點,詳細介紹了金剛石薄膜電極式電導率傳感器的探頭制備,然后概述了電導池的研究設計過程,以及電導率傳感器的定標和擬合、數據的誤差分析,最后驗證了本傳感器達到了穩定可靠、測量精度較高的測量效果。該電導率傳感器的電極具有電化學窗口寬、機械強度高、抗腐蝕性能力強等優異的特性,可提高海洋鹽度傳感器的測量效果和穩定性,對增強我國海洋傳感技術的研究創新能力,滿足海洋研究與開發需求具有重要意義。
    • 楊鑫偉; 王小平; 王麗軍; 陳佳興
    • 摘要: 本研究在P型硅襯底上制備了硼摻雜金剛石/MoS_(2)/金剛石復合膜結構的電致發光器件。對器件中薄膜層的組成和微觀結構進行了表征,并對器件的伏安特性和電致發光特性進行了研究。結果表明,器件的I-V曲線有輕微的不對稱性;器件在正接和反接時都可以發光,但器件的電致發光光譜有明顯差異:器件正接時有兩個發光寬峰分別位于420和660 nm處,而器件在反接時的兩個發光寬峰則分別位于436和680 nm處,且器件反接時的發光強度是正接時的5.4倍。原因在于器件外加不同方向電壓時,各薄膜層對電致發光光譜的貢獻不同。
    • 孫洪濤; 林晶; 趙麗麗; 錢博
    • 摘要: 金剛石薄膜具有諸多優異的性能,在精密加工、半導體、散熱器件、光電學等方面具有許多應用,不過現代制備金剛石薄膜的工藝依然存在沉積的速率慢、品質差等問題。簡述金剛石薄膜的制備原理和制備機理,探究MPCVD制備金剛石薄膜的原理,通過近年來科研人員的研究成果來分析金剛石薄膜的制備工藝對其沉積速率和品質等方面產生的影響。其中,主要分析形核方式、CH_(4)/H_(2)比、Ar摻雜、沉積溫度、沉積氣壓等工藝參數的差異對金剛石薄膜制備過程中活性基團的種類和濃度產生的影響。
    • 耿傳文; 趙鵬; 張曉東; 曾梅花; Miroljub Vilotijevic
    • 摘要: 目的提出在第一壁材料(鎢穿管部件)表面沉積金剛石薄膜,并系統研究金剛石薄膜厚度對應力的影響。方法采用數值模擬和實驗表征方法。利用ANSYS workbench模擬軟件,在建立鎢穿管部件表面金剛石薄膜有限元模型及模型方程的基礎上,對影響金剛石薄膜熱殘余應力的厚度因素進行探討;采用微波等離子體化學氣相沉積法(MPCVD),在鎢穿管部件表面沉積不同厚度的金剛石薄膜,并利用拉曼光譜法和洛氏硬度計壓痕法對薄膜的應力進行表征。結果模擬顯示,隨著金剛石薄膜厚度增加,薄膜最大主應力值和最大剪應力值均呈現出先減少后增加趨勢,在薄膜厚度為75~100μm時處于最低,小于金剛石薄膜通常的斷裂強度(700 MPa),同時最大應力落差區域出現在薄膜邊緣處。通過實驗表征得到金剛石薄膜表面呈現出拉應力,在薄膜厚度為(103.56±0.5)μm時,金剛石薄膜中間區域應力值最低,與VDI3198標準對比,壓痕坑達到HF1和HF2效果。結論鎢穿管部件表面金剛石薄膜厚度為(103.56±0.5)μm時,不容易出現裂紋和與基底的剝離現象,具有較好的附著性。
    • 王賀; 沈建輝; 劉魯生; 閆廣宇; 吳玉厚; 熊家驥; DANIEL Cristea
    • 摘要: 利用熱絲化學氣相沉積技術在碳化硅基底上制備微米金剛石薄膜、納米金剛石薄膜和金剛石–石墨復合薄膜,采用掃描電子顯微鏡、原子力顯微鏡和拉曼光譜儀對不同金剛石薄膜的表面形貌和微觀結構進行表征,通過摩擦磨損實驗測試金剛石薄膜的摩擦系數并計算其磨損率,對比研究不同種類金剛石薄膜的摩擦磨損性能。結果表明:金剛石–石墨復合薄膜具有較好的摩擦磨損性能,薄膜表面粗糙度為53.8 nm,摩擦系數為0.040,和納米金剛石薄膜(0.037)相當;金剛石–石墨復合薄膜的磨損率最低,為2.07×10^(?7)mm^(3)·N^(?1)·m^(?1)。在相同實驗條件下,同碳化硅基底的磨損率(9.89×10^(?5)mm^(3)·N^(?1)·m^(?1))和摩擦系數(0.580)相比,所有金剛石薄膜的磨損率和摩擦系數均有明顯提升,說明在SiC基體表面沉積金剛石薄膜能夠顯著提高碳化硅材料在摩擦學領域的使役性能。
    • 代曉南; 白玲; 孫為云; 王曉燕; 栗正新; 田艷媛
    • 摘要: 金剛石作為一種碳單質,是石墨、富勒烯及碳納米管等的同素異形體。憑借其特殊的晶體結構,具有極低摩擦系數、熱膨脹系數及極高硬度、導熱性能、禁帶寬度、聲音傳播速度等物理性能。文章綜述了MPCVD法制備金剛石薄膜的機理及各表征方法的原理和用途,論述了MPCVD法制備金剛石薄膜工藝的研究進展,分別分析了氣壓、微波功率、氣體流動方式、基體溫度及氮摻雜等因素對沉積金剛石薄膜質量的影響。以上工藝參數對金剛石薄膜性能具有一定影響,在生產過程中需選擇最佳參數以制備出質量較好的薄膜。最后論述了金剛石薄膜在生物醫學領域的應用前景及目前亟待解決的技術難題。在鈦合金表面涂覆一層金剛石薄膜可賦予鈦合金高硬度、耐磨蝕等性能,且其具有良好的生物相容性,在生物醫學領域將具有廣闊的應用市場,但由于膜層內應力較大使得金剛石薄膜與基體結合較差,這也是目前亟待解決的問題。
    • 范冰慶; 王傳新; 徐遠釗; 黃凱
    • 摘要: 利用熱絲化學氣相沉積(HFCVD)裝置研究不同氣壓下氬氣體積分數對金剛石膜晶粒尺寸的影響,并對不同氣壓下其微米納米尺寸轉變的臨界值進行分析,同時用SEM以及拉曼光譜對沉積的金剛石膜進行分析.結果表明:隨著氬氣體積分數的增大,金剛石膜的晶粒會越來越小,但不同氣壓下金剛石膜從微米轉變成納米級別所需要的氬氣體積分數不一樣;在2.0~0.5 kPa范圍內,隨著氣壓的降低,轉變所需的氬氣體積分數逐步降低,從2.0 kPa時需要60.0%,到1.5 kPa時需要52.5%,再到1.0 kPa時需要32.5%降至0.5 kPa時僅需20.0%.在臨界點得到的金剛石膜的質量與內應力也不相同,隨著氣壓降低,膜的質量提高,內應力增大.
    • 朱海豐; 王艷坤; 丁文明; 梁林達
    • 摘要: 通過微波等離子體化學氣相沉積(MPCVD)法,以CH4/H2為氣源,合成高質量金剛石薄膜,在150 W低微波功率下,從襯底預處理方法、沉積氣壓、流量比等方面對制備高質量金剛石薄膜的工藝參數進行研究.結果表明:高流量比不利于金剛石顆粒的粒徑控制,二次形核的存在可以獲得近納米級顆粒尺寸的金剛石薄膜;較大的沉積氣壓有利于制備致密均勻的金剛石薄膜;襯底預處理對薄膜的有效沉積影響明顯,其中利用含金剛石粉末的甲醇懸濁液進行超聲處理是最有效的種晶方法.
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