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金剛石

金剛石的相關文獻在1979年到2023年內共計28667篇,主要集中在化學工業、金屬學與金屬工藝、無線電電子學、電信技術 等領域,其中期刊論文5096篇、會議論文486篇、專利文獻27714篇;相關期刊1270種,包括超硬材料工程、金剛石與磨料磨具工程、磨料磨具通訊等; 相關會議225種,包括第八屆中國金剛石相關材料及應用學術研討會、2009中國超硬材料行業技術發展論壇、慶祝中國人造金剛石誕生45周年大會暨第五屆鄭州國際超硬材料及制品研討會等;金剛石的相關文獻由25066位作者貢獻,包括李成明、方海江、唐永炳等。

金剛石—發文量

期刊論文>

論文:5096 占比:15.31%

會議論文>

論文:486 占比:1.46%

專利文獻>

論文:27714 占比:83.24%

總計:33296篇

金剛石—發文趨勢圖

金剛石

-研究學者

  • 李成明
  • 方海江
  • 唐永炳
  • 徐西鵬
  • 魏俊俊
  • 劉金龍
  • 陳良賢
  • 龔闖
  • 朱嘉琦
  • 陳超
  • 期刊論文
  • 會議論文
  • 專利文獻

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作者

關鍵詞

    • 張向紅; 王艷輝; 臧建兵; 張金輝
    • 摘要: 采用真空微蒸發鍍覆工藝制備不同鍍層厚度的鍍鉻金剛石,對鉻鍍層的物相組成和鍍層厚度進行分析和表征。結果表明:改變鍍覆溫度和保溫時間,可控制鍍鉻金剛石的鍍層厚度。鍍層的物相組成可通過鍍覆質量增加來控制:質量增加10%的鉻鍍金剛石,其鍍層只出現Cr_(3)C_(2)相;質量增加為20%時,有少量Cr_(7)C_(3)出現。從金剛石基體到鉻鍍層,鍍層結構由低Cr比例的碳化物向高Cr比例的碳化物逐漸過渡,即為Cr_(3)C_(2)/Cr_(7)C_(3);在金剛石尺寸確定的情況下,使用理論分析鍍層厚度與鍍覆質量增加的關系,如質量增加10%和65%的金剛石對應的鉻鍍層厚度分別為0.77μm和4.76μm,此結果與試驗觀察相吻合。
    • 邢雨菲; 任澤陽; 張金風; 蘇凱; 丁森川; 何琦; 張進成; 張春福; 郝躍
    • 摘要: 超寬禁帶半導體金剛石材料在高溫、高壓電路中具有重要的應用潛力.本研究采用微波等離子體化學氣相沉積生長的單晶金剛石襯底制備了原子層沉積(atomic layer deposition, ALD)的Al_(2)O_(3)柵介質的氫終端金剛石金屬氧化物半導體場效應晶體管(metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET)器件,并與負載電阻互連,成功制備了金剛石反相器. 4μm柵長的氫終端金剛石器件實現了最大113.4 m A/mm的輸出飽和漏電流,器件開關比高達109,并在不同負載電阻條件下均成功測得金剛石反相器的電壓反轉特性,反相器的最大增益為10.
    • 王光祖; 張相法; 位星
    • 摘要: 立方氮化硼作為一種性能優越的超硬材料,在現代加工制造領域發揮著重要作用。我國在立方氮化硼生產、應用推廣及立方氮化硼出口方面不斷取得進步,已經成為立方氮化硼生產強國。從誕生、發展、科研創新歷程及產業集群等方面分析評述了我國立方氮化硼產業發展情況,并對其發展前景進行了展望,提出了建議。
    • 牛杰; 何文雪; 鄒鑫
    • 摘要: 以采用微波等離子CVD法合成金剛石現場設備的數據采集和通信為研究內容,設計基于Modbus/TCP協議與RS-485通信協議的數據采集與通信系統。系統以西門子S7-1200PLC為控制內核,微波發生器GMP G4以及質量流量計FCST1000作為硬件核心。通過分析Modbus/TCP協議的報文結構以及RS-485通信協議的數據傳輸幀格式,在西門子TIA portal軟件中進行程序設計,實現PLC對微波電源以及質量流量計的數據采集與通信。經現場運行表明,該系統穩定可靠,能夠滿足設計要求。
    • 徐雪霞; 張哲; 王同賀; 趙巖; 丁海民
    • 摘要: 增強相與銅基體潤濕性差導致機械性能低,成為限制銅基復合材料應用的技術瓶頸。為了解決上述問題,本文提出了一種金剛石增強銅基復合材料的制備策略。首先,利用鈦和金剛石(D)反應將金剛石引入Cu熔體中,成功制備出Cu-Ti-Si-D復合材料,對其進行了微觀結構分析,并探究了復合材料的性能,發現由于Si的存在,嚴重影響了復合材料的導電率。為了減輕Si的影響,在Cu-Ti-Si-D的基礎上制備了Cu-Ni-Ti-Si-D復合材料。研究發現,Ni可以同時和Si以及Ti_(5)Si_(3)反應生成Ni-Ti-Si相,在金剛石@TiC核殼顆粒及Ni-Ti-Si相協同作用下,提高了復合材料的硬度和導電率。
    • 馮家駒; 范亞明; 房丹; 鄧旭光; 于國浩; 魏志鵬; 張寶順
    • 摘要: 氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(high electron mobility transistor,HEMT)以其擊穿場強高、導通電阻低、轉換效率高等特點引起科研人員的廣泛關注并有望應用于電力電子系統中,但其高功率密度和高頻特性給封裝技術帶來極大挑戰。傳統硅基電力電子器件封裝中寄生電感參數較大,會引起開關振蕩等問題,使GaN的優良性能難以充分發揮;另外,封裝的熱管理能力決定了功率器件的可靠性,若不能很好地解決器件的自熱效應,會導致其性能降低,甚至芯片燒毀。本文在闡釋傳統封裝技術應用于氮化鎵功率電子器件時產生的開關震蕩和熱管理問題基礎上,詳細綜述了針對以上問題進行的GaN封裝技術研究進展,包括通過優化控制電路、減小電感L_(g)、提高電阻R_(g)抑制dv/dt、在柵電極上加入鐵氧體磁環、優化PCB布局、提高磁通抵消量等方法解決寄生電感導致的開關振蕩、高導熱材料金剛石在器件熱管理中的應用、器件封裝結構改進,以及其他散熱技術等。
    • 龍偉民; 秦建; 路全彬; 劉大雙; 吳愛萍
    • 摘要: 金剛石感應釬涂過程對鋼基體組織和性能有較大影響,釬涂后熱處理是提高基體性能的重要手段,但對涂層也有較大影響。采用高溫金相顯微鏡、SEM、XRD、硬度試驗等分析測試手段,研究了釬涂后熱處理工藝對感應釬涂鎳基合金組織演變及硬度的影響規律。結果表明,釬涂后的NiCrSiB釬涂層組織主要由Ni固溶體、CrB、Ni_(3)Si、Ni_(3)B和Ni-Ni_(3)Si共晶組成;淬火處理后,Ni_(3)Si-Ni固溶體共晶數量減少,尺寸減小,CrB出現一定程度的長大,且整體Ni_(3)Si含量降低;回火處理后,NiCrSiB釬涂層組織晶界附近共晶數量又增多,CrB進一步長大,促進少量的Ni_(3)Si組織生成。在釬涂狀態下涂層硬度較高,經淬火后顯微硬度整體下降,再經回火處理后顯微硬度有所回升。以農機裝備用旋耕刀為具體對象,研發了釬涂聯合熱處理提升旋耕刀整體性能的新技術。
    • 張向紅; 王艷輝; 臧建兵; 張金輝
    • 摘要: 為研究在鍍鉻金剛石/鋁硼硅玻璃復合材料中Cr鍍層對金剛石氧化反應的抑制作用,將不同鍍層厚度的鍍鉻金剛石和鋁硼硅玻璃在相同工藝下燒制成試樣,檢測試樣的體積膨脹率和抗折強度,觀察其斷面形貌;同時分析燒結后金剛石單顆粒抗壓強度和金剛石-結合劑界面的成分。結果表明:Cr鍍層具有消耗和隔絕氧元素的雙重保護作用,能有效抑制金剛石的氧化。同時,鍍層厚度對金剛石氧化反應影響顯著:鍍層太薄,不能在高溫燒結過程中持續保護金剛石;鍍層太厚,會由于應力匹配問題產生裂紋或成片剝落,使金剛石暴露在有氧環境中,反而失去保護作用。對于粒度號為140/170的金剛石,最佳鍍層厚度為1.58μm。
    • 摘要: 提出了一種利用金剛石芯片近表面氮空位中心進行的傅里葉光譜實驗,通過檢測核自旋的自由進動,而不是應用多脈沖量子傳感協議,明確識別沒有諧波的NMR類型。通過在自由進動過程中設計不同的哈密頓量,可以選擇性地測量超精細耦合參數以及核拉莫爾頻率,精度高達五位小數。所提出的技術有助于繪制沉積在金剛石傳感器芯片上的分子的核坐標,從而對其原子結構進行成像。
    • 郝鑫; 尹思宇; 張宗達; 丁潔; 田振男; 白振旭
    • 摘要: 氮空位(NV)色心是一種具備優良光學性能和自旋特性的金剛石發光缺陷,由于其在超分辨成像技術、量子測量、量子信息等領域的巨大應用前景,近年來吸引了許多科研工作者的關注。目前,人們已經通過多種方法制備濃度和空間位置可控的高品質NV色心,并推動了其在量子傳感和量子信息等領域的應用。NV色心的電子自旋哈密頓量與多種物理量有關,因此能夠通過讀取NV色心的電子自旋態實現量子精密測量;此外,NV色心作為一種電子自旋相干時間長、性能穩定的固態自旋量子體系,可以實現安全高效的量子信息處理。近年來,量子測量的靈敏度隨著NV色心制備工藝的進步而快速提升。介紹了NV色心的結構和基本特性,并對其制備和應用進行了總結和展望。
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