摘要： 二維(2D)半導體薄膜材料作為當代光電子器件領域的主力軍,大面積薄膜材料的制備則成為亟待解決的熱點問題。文章通過一種硫(S)化預生長的氧化鉬(MoO_(3))的方法實現大面積二硫化鉬(MoS_(2))薄膜材料的制備。區別于傳統化學氣相沉積(CVD)方法生長材料隨機成核的特性,文章設計利用提前在襯底上預生長MoO_(3)作為Mo源,以固定MoS_(2)薄膜的成核位點。研究結果表明,該方法可實現雙層的大面積MoS_(2)薄膜。進一步,將制備的雙層大面積MoS_(2)薄膜轉移到叉指電極上進行光電性能研究,在532 nm的激光照射下,實現103.71 mA/W的響應度及88μs的快響應速度。預計文章的實驗設計可推廣到其他大面積二維薄膜材料的制備中。

摘要： 針對高溫硒化過程中銅鋅錫硫硒(CZTSSe)太陽能電池背界面不穩定問題,提出在柔性Mo襯底上蒸鍍MoO_(3)薄層,阻隔CZTSSe吸收層與Mo的直接接觸,抑制背界面處CZTSSe吸收層與Mo發生分解反應.材料表征及性能測試表明,MoO_(3)修飾能促進背界面處CZTSSe吸收層的生長,提高CZTSSe吸收層的結晶質量,實現了CZTSSe吸收層由雙層結構向“三明治”結構的轉變.實驗證明,加入10 nm的MoO_(3)薄層,開路電壓與短路電流有大幅提升,能得到最佳的器件效率,效率從6.62%提升到7.41%.

摘要： 針對剝離回收的廢舊MoSi_(2)涂層材料,通過氧化煅燒得到MoO_(3)和SiO_(2)混合粉末,并采用熱蒸發法對MoO_(3)進行回收。研究了氧化煅燒溫度和保溫時間對MoSi_(2)氧化速率的影響,以及熱蒸發溫度對MoO_(3)收得率和形貌的影響。結果表明:隨著煅燒溫度升高,MoSi_(2)氧化生成MoO_(3)和SiO_(2)的轉化率在400~600°C之間先增加后減小,475°C形成MoO_(3)的轉化率最高,150 min的保溫時間可以達到最高轉化率。950°C熱蒸發MoO_(3)的最大收得率為97.35%,熱蒸發法得到的MoO_(3)主要為片狀和球形,溫度越高,球形MoO_(3)所占的比例越大。

摘要： 在典型有機空穴傳輸材料胺類衍生物NPB(N,N’-diphenyl-N,N’-bis(1-naphthyl)(1,1’-biphenyl)-4,4’diamine)中引入過渡金屬氧化物MoO_(3)制備了只有空穴傳輸的單載流子器件.結果表明:MoO_(3)的引入明顯提升了NPB的導電性能,在約2.0 V的外加電壓下,100 nm厚純NPB薄膜電流密度僅為1.28 mA/cm^(2),而同樣厚度的摻雜薄膜NPB∶MoO_(3)(50 wt.%)電流密度達到了2530 mA/cm^(2).同樣摻雜比例的NPB∶MoO_(3)薄膜吸收譜顯示位于500 nm附近存在既不同于NPB也不同于MoO_(3)的額外吸收峰,表明體系中產生了電荷轉移復合物NPB+-MoO-3,從而產生了額外的空穴載流子,進而提升了摻雜體系的導電性能.進一步的熒光分析表明,MoO_(3)的引入對NPB自身熒光具有明顯的猝滅作用.NPB∶MoO_(3)(30 wt.%)薄膜的熒光強度比純NPB薄膜熒光強度降低了2個數量級,NPB∶MoO_(3)(50 wt.%)摻雜薄膜的熒光強度降低為零.

摘要： 為改善玻璃纖維/環氧樹脂(GF/EP)復合材料的耐摩擦磨損性能,采用真空抽濾法制備柔性MoO3納米帶-氧化碳納米管膜(m-MoO3-OCNTs),并結合真空輔助樹脂轉移模塑(VARTM)工藝制備m-MoO3-OCNTs改性GF/EP(m-MoO3-OCNTs-(GF/EP))復合材料.結果表明,m-MoO3-OCNTs顯著提高了GF/EP復合材料的導熱系數和自潤滑性能,在干摩擦測試條件下,可在m-MoO3-OCNTs-(GF/EP)復合材料與對偶面之間形成有效傳遞摩擦熱的高質量連續轉移膜;與GF/EP復合材料相比,m-MoO3-OCNTs-(GF/EP)復合材料的耐摩擦磨損磨性能提高了約4倍.

摘要： 將兩個典型的二維材料MoO3和膨脹石墨(EG)共球磨處理,一步實現兩者的剝離和復合得到少層MoO3薄片與碳納米片均勻雜化的結構.研究了球磨珠子的直徑對球磨切向力和沖擊力,進而對剝離效率的影響.結果表明:2 mm的球磨珠產生的球磨切向力和沖擊力能產生最理想的協同效應.在此條件下得到的產物中,MoO3薄片層數少、尺寸小且在碳層上分布均勻,而碳層的厚度基本小于10層.因此,該雜化材料結構穩定且能提供更多的鋰離子儲存位點,表現出了高的倍率性能(1000 mA·g-1電流密度下比容量為817 mAh·g-1)和循環穩定性(200 mA·g-1電流密度下,循環70圈,容量保持為810 mAh·g-1).

摘要： Molybdenum-based materials have been intensively investigated for high-performance gas sensor applications.Particularly,molybdenum oxides and dichalcogenides nanostructures have been widely examined due to their tunable structural and physicochemical properties that meet sensor requirements.These materials have good durability,are naturally abundant,low cost,and have facile preparation,allowing scalable fabrication to fulfill the growing demand of susceptible sensor devices.Significant advances have been made in recent decades to design and fabricate various molybdenum oxides-and dichalcogenides-based sensing materials,though it is still challenging to achieve high performances.Therefore,many experimental and theoretical investigations have been devoted to exploring suitable approaches which can significantly enhance their gas sensing properties.This review comprehensively examines recent advanced strategies to improve the nanostructured molybdenum-based material performance for detecting harmful pollutants,dangerous gases,or even exhaled breath monitoring.The summary and future challenges to advance their gas sensing performances will also be presented.

摘要： 過氧化氫是生物體內富含的活性氧,可作為生物標志物對疾病進行診斷和預判[1],還被廣泛應用于食品工業、生物技術、造紙和化學工業[2]等領域。由于過氧化氫具有強腐蝕性,對設備及生態環境具有潛在危害,因此在生產及排放過程中需要及時監測過氧化氫的含量。目前,測定過氧化氫的方法主要有滴定法、色譜法(如氣相色譜法、液相色譜法、離子色譜法)、化學發光法、熒光分光光度法和電化學法等[3]。

摘要： 采用水熱法首先在導電玻璃上制備TiO2納米線,隨后電沉積涂覆MoO3薄膜,成功制備MoO3/TiO2復合薄膜.利用電化學測試與光譜測試,得到MoO3/TiO2復合薄膜的擴散系數、著色/退色的響應時間、光密度、電致變色可逆性和著色效率等參數,研究不同水熱生長時長TiO2納米線基底對MoO3/TiO2復合薄膜的電致變色性能的影響.結果表明:水熱生長6 h TiO2納米線的MoO3/TiO2復合薄膜具有最佳的電致變色性能,擴散系數為2.86×10-12 cm2·s-1,可逆性值為60.88％,光密度為0.41,著色效率達到124.49 cm2·C-1,著色和退色響應時間分別為13.53 s和12.65 s.